Infineon 1Mbit FRAM, 8p, 串行 - I2C接口, SOIC封装, 128K x 8

这种 Infineon FRAM 是一种采用先进铁电工艺的 1 Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器 (FRAM) 是一种非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能可靠保留数据长达 151 年，同时消除了 EEPROM 和其他非易失性存储器导致的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与 EEPROM 不同，它以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。无需进行数据轮询，即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品高度耐受写入。

符合 RoHS 标准
低功耗
快速 2 线串行接口
高度耐用，100 万亿次读写
高度可靠的先进铁电工艺