Infineon 栅极驱动模块, CMOS逻辑, SOIC, 8针

Infineon 高侧和低侧驱动器是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,带独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁防护 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲器级别,设计用于最小驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 600 V。

浮动通道设计用于引导带操作
完全工作,高达 +600 V
耐受负瞬态电压,dV/dt 免疫
门驱动电源范围为 10 V 至 20 V
两个通道的欠压锁定
两个通道的匹配传播延迟
逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏置
较低的 di/dt 栅极驱动器,可提供更好的抗噪性