STMicroelectronics 600 V 30 A IGBT, 3引脚, 通孔安装, N通道, 1MHz

产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

IGBT 分立,STMicroelectronics

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

产品技术参数
属性 数值
最大连续集电极电流 30 A
最大集电极-发射极电压 600 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 30 W
封装类型 TO-220FP
安装类型 通孔
通道类型 N
引脚数目 3
开关速度 1MHz
晶体管配置
尺寸 10.4 x 4.6 x 16.4mm
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 毎管:50 个
RMB 9.166
(不含税)
RMB 10.358
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 200
RMB9.166
RMB458.30
250 +
RMB8.385
RMB419.25
* 参考价格