Vishay MOSFET 是 N 沟道, HVMDIP-4 封装是一种新时代的产品,漏极源电压为 200V ,最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 800mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 1W。 此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。
•动态 dV/dt 额定值
•易于并联
• 端部可堆叠
•快速切换
•用于自动插入
•无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•重复耐雪崩等级
•简单的驱动器要求
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)