Vishay, 场效应管Mosfet
- RS 库存编号 180-8319
- 制造商零件编号 IRFD220PBF
- 制造商 Vishay
产品详细信息
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， HVMDIP-4 封装是一种新时代的产品，漏极源电压为 200V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 800mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 1W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•动态 dV/dt 额定值
•易于并联
• 端部可堆叠
•快速切换
•用于自动插入
•无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
•重复耐雪崩等级
•简单的驱动器要求
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
请致电4008218857，确认RS海外库存数量及货期。
单价（不含税） 毎管：100 个
RMB
6.566
(不含税)
RMB
7.42
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
100 - 100
RMB6.566
RMB656.60
200 - 300
RMB6.369
RMB636.90
400 +
RMB6.178
RMB617.80
* 参考价格
