Vishay MOSFET 是 N 沟道 TO-220AB-3 封装,是具有 60V 漏 - 源电压和 10V 最大栅 - 源电压的新时代产品。在 5V 栅极源电压下,漏极源电阻为 50mohm。MOSFET 的最大功耗为 88W。 此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。
•动态 dV/dt 额定值
•易于并联
•快速切换
•无铅 (Pb) 组件
•逻辑电平栅极驱动
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• VGS 时规定的 RDS (接通) 为 4V 和 5V
•重复耐雪崩等级
•简单的驱动器要求
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)