Vishay MOSFET 是 N 沟道, IN-252-3 封装,是一种新时代的产品,漏极源电压为 100V ,最大栅极源电压为 10V。在 5V 栅极源电压下,漏极源电阻为 540mohm。MOSFET 的最大功耗为 25W。 此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。
提供带装和卷装
动态 dV/dt 额定值
无卤素和无铅 (Pb) 组件
逻辑电平栅极驱动
工作温度范围 -55°C 至 150°C
VGS 时规定的 RDS (接通) 为 4V 和 5V
重复耐雪崩等级
电池充电器
变频器
电源
开关模式电源 (SMPS)
客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。