Vishay, 场效应管Mosfet

  • RS 库存编号 180-8833
  • 制造商零件编号 IRLR110PBF
  • 制造商 Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

Vishay MOSFET

Vishay MOSFET 是 N 沟道, IN-252-3 封装,是一种新时代的产品,漏极源电压为 100V ,最大栅极源电压为 10V。在 5V 栅极源电压下,漏极源电阻为 540mohm。MOSFET 的最大功耗为 25W。 此产品经过优化,可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命,而不会影响性能或功能。

特点和优势

•提供带装和卷装
•动态 dV/dt 额定值
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
• 逻辑电平栅极驱动
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
• VGS 时规定的 RDS (接通) 为 4V 和 5V
•重复耐雪崩等级

应用

•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

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单价(不含税) /个 (每包:10个)
RMB 5.178
(不含税)
RMB 5.851
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 - 10
RMB5.178
RMB51.78
20 - 30
RMB5.023
RMB50.23
40 +
RMB4.872
RMB48.72
* 参考价格