Vishay IRFIBF20G 是 N 沟道功率 MOSFET ,漏极至源电压 (VDS) 为 900V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用 TO-220 FULLPAK 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 8 欧姆。
隔离封装
高电压隔离 = 2.5 kVrms (t = 60 s
F = 60 Hz)
动态 dV/dt 额定值