STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh系列, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK-2封装, 表面贴装, 3引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 2.5 A
最大漏源电压 1500 V
封装类型 H2PAK-2
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 9 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5V
最小栅阈值电压 3V
最大功率耗散 140 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 29.3 nC @ 10 V
宽度 15.8mm
长度 10.4mm
每片芯片元件数目 1
当前暂无库存,可于2024-04-03发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 个 (在毎卷:1000)
RMB 27.538
(不含税)
RMB 31.118
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
1000 - 4000
RMB27.538
RMB27,538.00
5000 +
RMB26.988
RMB26,988.00
* 参考价格