ROHM P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 100 mA, SC-75, 贴片安装, 3引脚, RE1C001ZPTL

  • RS 库存编号 124-6783
  • 制造商零件编号 RE1C001ZPTL
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 100 mA
最大漏源电压 20 V
封装类型 SC-75
系列 RE1C001ZP
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 40 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1V
最小栅阈值电压 0.3V
最大功率耗散 150 mW
最大栅源电压 -10 V、+10 V
每片芯片元件数目 1
宽度 0.9mm
长度 1.7mm
最高工作温度 +150 °C
250 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) /个 (每包:125个)
RMB 0.52
(不含税)
RMB 0.59
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
125 - 500
RMB0.52
RMB65.00
625 - 1125
RMB0.507
RMB63.375
1250 - 3000
RMB0.494
RMB61.75
3125 - 6125
RMB0.482
RMB60.25
6250 +
RMB0.47
RMB58.75
* 参考价格