ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2 A, TSMT-3, 贴片安装, 3引脚, RUR020N02TL

  • RS 库存编号 124-6841
  • 制造商零件编号 RUR020N02TL
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 2 A
最大漏源电压 20 V
封装类型 TSMT-3
系列 RUR020N02
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 240 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1V
最小栅阈值电压 0.3V
最大功率耗散 1 W
最大栅源电压 -10 V、+10 V
典型栅极电荷@Vgs 4.5 V 时,2 常闭
长度 3mm
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
宽度 1.8mm
暂时缺货-将在补货后发货。
单价(不含税) /个 (每包:25个)
RMB 2.968
(不含税)
RMB 3.354
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
25 - 725
RMB2.968
RMB74.20
750 - 1475
RMB2.879
RMB71.975
1500 +
RMB2.793
RMB69.825
* 参考价格