ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 40 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SCH2080KEC

  • RS 库存编号 124-6847
  • 制造商零件编号 SCH2080KEC
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): PH
产品详细信息

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 40 A
最大漏源电压 1200 V
封装类型 TO-247
系列 SCH2080KE
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 125 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 1.6V
最大功率耗散 262 W
最大栅源电压 -6 V、+22 V
宽度 15.9mm
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 SiC
典型栅极电荷@Vgs 106 nC @ 18 V
长度 20.95mm
每片芯片元件数目 1
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