Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 193 A, 半桥, 螺钉安装, 7引脚, CAS120M12BM2
- RS 库存编号 162-9720
- 制造商零件编号 CAS120M12BM2
- 制造商 Wolfspeed
产品详细信息
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET 模块
Wolfspeed（Cree Inc. 能源动力公司）碳化硅功率 MOSFET 模块。这些 SiC MOSFET 模块采用工业标准封装且提供半桥 (2 MOSFET) 和 3 相 (6 MOSFET) 格式；它们还包括 SiC 反向恢复二极管。 典型应用包括：感应加热、太阳能和风力反相器、直流 - 直流转换器、3 相 PFC、线路再生驱动器、UPS 和 SMPS、电动机驱动器和电池充电器。
• MOSFET 断开尾线电流和二极管反向恢复电流为有效零。
• 超低损耗高频操作
• 因 SiC 特性而易于并联
• 常闭，故障安全操作
• 铜基板和氮化铝绝缘体，可降低热要求
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Wolfspeed
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 193 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | 半桥 |
| 安装类型 | 螺钉 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 925 W |
| 晶体管配置 | 串行 |
| 最大栅源电压 | -10 V, +25 V |
| 宽度 | 61.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 378 nC @ 20 V |
| 晶体管材料 | SiC |
| 长度 | 106.4mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
30 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） 个 (以毎盒：10)
RMB
3,407.576
(不含税)
RMB
3,850.561
(含税)
单位
Per unit
Per Box*
10 - 40
RMB3,407.576
RMB34,075.76
50 +
RMB3,305.349
RMB33,053.49
* 参考价格
