MagnaChip N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 100 A, PowerDFN56封装, 表面贴装, 8引脚

  • RS 库存编号 162-9833
  • 制造商零件编号 MDU1511RH
  • 制造商 MagnaChip
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

低电压 (LV) MOSFET

这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。

MOSFET 晶体管,MagnaChip

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 PowerDFN56
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 3.5 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.7V
最大功率耗散 78.1 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
宽度 5.1mm
长度 6.1mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 51.8 nC @ 10 V
此产品已停售