onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=150 V, 1.6 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, FDN86246
- RS 库存编号 166-2695
- 制造商零件编号 FDN86246
- 制造商 onsemi
产品详细信息
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
半导体 MOSFET 晶体管，半
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 系列 | PowerTrench |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 481 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 1.4mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
| 宽度 | 2.92mm |
当前暂无库存，可于2025-03-05发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (在毎卷：3000)
RMB
4.344
(不含税)
RMB
4.909
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
3000 - 3000
RMB4.344
RMB13,032.00
6000 - 27000
RMB4.213
RMB12,639.00
30000 +
RMB4.087
RMB12,261.00
* 参考价格
