STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh M2系列, Vds=650 V, 52 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 52 A
最大漏源电压 650 V
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 55 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 350 W
晶体管配置
最大栅源电压 -25 V、+25 V
宽度 5.15mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
长度 15.75mm
典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V
当前暂无库存,可于2025-04-22发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 毎管:30 个
RMB 54.716
(不含税)
RMB 61.829
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
30 - 120
RMB54.716
RMB1,641.48
150 +
RMB53.075
RMB1,592.25
* 参考价格