STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 45 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

N 通道碳化硅 (SiC) MOSFET,STMicroelectronics

碳化硅 (SiC) MOSFET 具有非常低的静电释放源接通电阻,用于 1200V 额定电压,并具有极佳的切换性能,可转换为更高效率和紧凑的系统。

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 45 A
最大漏源电压 1200 V
封装类型 HiP247
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 100 mΩ
通道模式 增强
最大功率耗散 270 W
晶体管配置
最大栅源电压 -10 V, +25 V
最高工作温度 +200 °C
宽度 5.15mm
典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 20 V
长度 15.75mm
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
当前暂无库存,可于2025-04-22发货,5 工作日送达。
单价(不含税) 毎管:30 个
RMB 159.751
(不含税)
RMB 180.519
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
30 +
RMB159.751
RMB4,792.53
* 参考价格