DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, SOIC, 贴片安装, 8引脚, ZXMHC6A07N8TC

  • RS 库存编号 169-0719
  • 制造商零件编号 ZXMHC6A07N8TC
  • 制造商 DiodesZetex
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

补充增强模式 MOSFET H 桥接,Diodes Inc.

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管,Diodes Inc.

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N,P
最大连续漏极电流 1.4 A,1.8 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOIC
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 350 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3V
最大功率耗散 1.36 W
晶体管配置 全桥
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 4
宽度 4mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 3.2 nC @ 10 V,5.1 nC @ 10 V
长度 5mm
请致电4008218857,确认RS海外库存数量及货期。
单价(不含税) 个 (在毎卷:2500)
RMB 4.395
(不含税)
RMB 4.966
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
2500 - 2500
RMB4.395
RMB10,987.50
5000 - 7500
RMB4.263
RMB10,657.50
10000 +
RMB4.136
RMB10,340.00
* 参考价格