Infineon P沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 31 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, IRFR5305PBF系列
- RS 库存编号:
- 170-2262
- 制造商零件编号:
- IRFR5305TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 170-2262
- 制造商零件编号:
- IRFR5305TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 系列 | IRFR5305PBF | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | 20 V | |
| 宽度 | 7.49mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 31 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
系列 IRFR5305PBF | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 110 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 20 V | ||
宽度 7.49mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 2.39mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
不符合
Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V
Infineon的分立式HEXFET®功率MOSFET系列包括采用表面安装和引线封装的P通道器件，以及可应对几乎所有电路板布局和散热设计难题的外形尺寸。在整个系列内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
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Advanced 工艺技术
快速切换
完全耐雪崩等级
无导线
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无导线
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
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