MagnaChip N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 175 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, MDP1932TH

  • RS 库存编号 170-3033
  • 制造商零件编号 MDP1932TH
  • 制造商 MagnaChip
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): CN
产品详细信息

低电压 (LV) MOSFET

这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。

MOSFET 晶体管,MagnaChip

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 175 A
最大漏源电压 80 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 3.4 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最大功率耗散 209 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
宽度 4.83mm
每片芯片元件数目 1
长度 10.67mm
典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V
此产品已停售