onsemi N沟道MOS管, Vds=1200 V, 30 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 7引脚, NTBG080N120SC1
- RS 库存编号 205-2450
- 制造商零件编号 NTBG080N120SC1
- 制造商 onsemi
产品技术参数资料
产品详细信息
碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK-7L 碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，40 mohm，1,200 V，M1，D2PAK-7L
on ON Semiconductor （ sic ） n 沟道 mosfet 采用全新技术、与硅相比、可提供卓越的切换性能和更高的可靠性。此外、低接通电阻和紧凑型芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷。因此、系统优势包括最高效率、 Faster 操作频率、增加功率密度、降低 emi 和减小系统尺寸。
低接通电阻 80mohm 型
高接点温度
超低栅极电荷
低有效输出电容
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 30 A |
| 最大漏源电压 | 1200 V |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 7 |
| 最大漏源电阻值 | 110 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 4.3V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
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单价（不含税） 个
RMB
76.31
(不含税)
RMB
86.23
(含税)
单位
Per unit
1 - 199
RMB76.31
200 - 399
RMB74.01
400 +
RMB71.79
包装方式：
