Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管, Vds=40 V, 12 A, D2PAK （TO-263）, 贴片安装, 3引脚, OptiMOS™ 3系列
- RS 库存编号:
- 220-7374
- 制造商零件编号:
- IPB015N04NGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | RMB34.266 | RMB171.33 |
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| 500 + | RMB32.242 | RMB161.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 220-7374
- 制造商零件编号:
- IPB015N04NGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 系列 | OptiMOS™ 3 | |
| 封装类型 | D2PAK （TO-263） | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0015 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
系列 OptiMOS™ 3 | ||
封装类型 D2PAK （TO-263） | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.0015 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||