Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 31.2 A, TO 263, 贴片安装, 3引脚, CoolMOS™系列
- RS 库存编号:
- 222-4656
- 制造商零件编号:
- IPB65R110CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 222-4656
- 制造商零件编号:
- IPB65R110CFDAATMA1
- 制造商:
- Infineon
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31.2 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO 263 | |
| 系列 | CoolMOS™ | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.11. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 31.2 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO 263 | ||
系列 CoolMOS™ | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.11. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||