Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 8 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚

  • RS 库存编号 542-9440
  • 制造商零件编号 IRF840APBF
  • 制造商 Vishay
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor

Vishay 功率 MOSFET 具有低栅极电荷 Qg ,可实现简单的驱动要求,且具有改进的栅极,雪崩和动态 dV/dt 坚固性。

工作接点和存储温度范围 - 55 至 + 150°C

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 8 A
最大漏源电压 500 V
封装类型 TO-220AB
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 850 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 125 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
宽度 4.7mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
长度 10.41mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 38 nC @ 10 V
217 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) 个
RMB 12.07
(不含税)
RMB 13.64
(含税)
单位
Per unit
1 - 24
RMB12.07
25 - 99
RMB11.86
100 - 249
RMB11.73
250 - 1249
RMB11.67
1250 +
RMB9.60