Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 65 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, IRFB4227PBF
- RS 库存编号 650-4277
- 制造商零件编号 IRFB4227PBF
- 制造商 Infineon
产品技术参数资料
产品详细信息
电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET，Infineon
电动机控制 MOSFET
Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流器 MOSFET
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 65 A |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 系列 | HEXFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 24 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 330 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.82mm |
| 长度 | 10.66mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
当前暂无库存，可于2024-05-20发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个
RMB
21.41
(不含税)
RMB
24.19
(含税)
单位
Per unit
1 - 4
RMB21.41
5 - 9
RMB21.03
10 - 19
RMB20.52
20 - 39
RMB20.00
40 +
RMB19.50
包装方式：
