STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh, SuperMESH系列, Vds=600 V, 400 mA, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 400 mA
最大漏源电压 600 V
封装类型 SOT-223
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 8.5 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.7V
最小栅阈值电压 2.25V
最大功率耗散 3.3 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
长度 6.5mm
宽度 3.5mm
典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
190 现货库存,2024-03-29 发货。
120 海外库存,在5工作日内到达本地仓库并发货
单价(不含税) /个 (每包:10个)
RMB 7.054
(不含税)
RMB 7.971
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
10 +
RMB7.054
RMB70.54
* 参考价格
包装方式: