Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23封装, 贴片, 3引脚
- RS 库存编号 710-3238
- 制造商零件编号 SI2301CDS-T1-GE3
- 制造商 Vishay
产品技术参数资料
产品详细信息
P 通道 MOSFET，8V 至 20V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 112 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 860 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 1.4mm |
| 长度 | 3.04mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.3 nC @ 2.5 V，5.5 nC @ 4.5 V |
160 现货库存，2024-04-20 发货。
220 海外库存，在5工作日内到达本地仓库并发货
单价（不含税） /个 (每包:20个)
原价
RMB41.32
RMB
1.756
(不含税)
RMB
1.984
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
20 - 20
RMB1.756
RMB35.12
40 - 80
RMB1.599
RMB31.98
100 +
RMB1.578
RMB31.56
* 参考价格
包装方式：
