STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET系列, Vds=60 V, 20 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 70 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 60 W
晶体管配置
最大栅源电压 -18 V、+18 V
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 10 V
最高工作温度 +175 °C
长度 10.4mm
宽度 4.6mm
晶体管材料 Si
此产品已停售