DiodesZetex N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.4 A，1.8 A, SOIC封装, 贴片, 8引脚
- RS 库存编号 751-5348
- 制造商零件编号 ZXMHC6A07N8TC
- 制造商 DiodesZetex
产品详细信息
补充增强模式 MOSFET H 桥接，Diodes Inc.
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Diodes Inc.
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 1.4 A，1.8 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 350 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 1.36 W |
| 晶体管配置 | 全桥 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.2 nC @ 10 V，5.1 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 4 |
7480 现货库存，可于5工作日发货。
单价（不含税） /个 (每包:5个)
RMB
6.044
(不含税)
RMB
6.83
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
5 - 620
RMB6.044
RMB30.22
625 - 1245
RMB5.864
RMB29.32
1250 +
RMB5.686
RMB28.43
* 参考价格
包装方式：
