STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=710 V, 42 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, STB57N65M5
- RS 库存编号 783-2977
- 制造商零件编号 STB57N65M5
- 制造商 STMicroelectronics
产品详细信息
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 42 A |
| 最大漏源电压 | 710 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 系列 | MDmesh M5 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 63 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 98 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 9.35mm |
3 现货库存，2024-04-24 发货。
4 海外库存，在5工作日内到达本地仓库并发货
单价（不含税） 个
原价
RMB85.22
RMB
78.40
(不含税)
RMB
88.59
(含税)
单位
Per unit
1 +
RMB78.40
包装方式：
