STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET系列, Vds=200 V, 18 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 18 A
最大漏源电压 200 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 125 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 110 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
宽度 6.2mm
长度 6.6mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +175 °C
典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 1
当前暂无库存,可于2024-04-24发货,5 工作日送达。
单价(不含税) Each (On a Tape of 5)
RMB 13.192
(不含税)
RMB 14.907
(含税)
单位
Per unit
Per Tape*
5 +
RMB13.192
RMB65.96
* 参考价格
包装方式: