STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=1500 V, 2.5 A, H2PAK-2, 贴片安装, 3引脚, STH3N150-2
- RS 库存编号 792-5861
- 制造商零件编号 STH3N150-2
- 制造商 STMicroelectronics
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 系列 | MDmesh |
| 封装类型 | H2PAK-2 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 10.4mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29.3 nC @ 10 V |
| 宽度 | 15.8mm |
| 晶体管材料 | Si |
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