onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 34 A, DFN封装, 表面贴装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 823-4169
- 制造商零件编号:
- NVMFD5853NLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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- RS 库存编号:
- 823-4169
- 制造商零件编号:
- NVMFD5853NLT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 34 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 15 MΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最大功率耗散 | 24 W | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 34 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 15 MΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最大功率耗散 24 W | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 5.1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 6.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 1.05mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
双 N 通道 MOSFET，ON Semiconductor
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor