ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 15 A, TO-220FM封装, 通孔安装, 3引脚

  • RS 库存编号 826-7548
  • 制造商零件编号 R6015ANX
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): TH
产品详细信息

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 15 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 TO-220FM
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 300 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.5V
最大功率耗散 50 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V
长度 10.3mm
最高工作温度 +150 °C
宽度 4.8mm
暂时缺货-将在补货后发货。
单价(不含税) /个 (每包:2个)
RMB 41.66
(不含税)
RMB 47.08
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
2 - 18
RMB41.66
RMB83.32
20 - 38
RMB39.99
RMB79.98
40 +
RMB38.325
RMB76.65
* 参考价格