ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=45 V, 2 A, TSMT, 贴片安装, 3引脚, RTR020N05TL

  • RS 库存编号 826-7790
  • 制造商零件编号 RTR020N05TL
  • 制造商 ROHM
产品技术参数资料
法例与合规
符合
COO (Country of Origin): TH
产品详细信息

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 2 A
最大漏源电压 45 V
封装类型 TSMT
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 250 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.5V
最大功率耗散 1 W
晶体管配置
最大栅源电压 -12 V、+12 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
长度 2.9mm
典型栅极电荷@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V
宽度 1.6mm
此产品已停售