STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 42 A |
最大漏源电压 | 60 V |
封装类型 | PowerFLAT 5 x 6 |
安装类型 | 贴片 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 34 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2.5V |
最小栅阈值电压 | 1V |
最大功率耗散 | 100 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
最高工作温度 | +175 °C |
长度 | 6.35mm |
典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
宽度 | 5.4mm |