STMicroelectronics P沟道增强型MOS管 STripFET系列, Vds=60 V, 42 A, PowerFLAT 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 42 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 PowerFLAT 5 x 6
安装类型 贴片
引脚数目 8
最大漏源电阻值 34 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.5V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 100 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
最高工作温度 +175 °C
长度 6.35mm
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V
宽度 5.4mm
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单价(不含税) /个 (每包:10个)
RMB 9.928
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RMB 11.219
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