STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 400 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, STN1HNK60
- RS 库存编号 920-6591
- 制造商零件编号 STN1HNK60
- 制造商 STMicroelectronics
产品技术参数资料
产品详细信息
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
产品技术参数
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 400 mA |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 系列 | MDmesh, SuperMESH |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 贴片 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 8.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 最小栅阈值电压 | 2.25V |
| 最大功率耗散 | 3.3 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 宽度 | 3.5mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.5mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
当前暂无库存，可于2025-05-15发货，5 工作日送达。
单价（不含税） 个 (在毎卷：4000)
RMB
3.201
(不含税)
RMB
3.617
(含税)
单位
Per unit
Per Reel*
4000 - 16000
RMB3.201
RMB12,804.00
20000 +
RMB2.881
RMB11,524.00
* 参考价格
