STMicroelectronics MOSFET, STripFET II 系列, N沟道, Si, Vds=60 V, 60 A, 3引脚 TO-220封装

产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 60 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 16 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 150 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 4.6mm
长度 10.4mm
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V
最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
系列 STripFET II
高度 9.15mm
晶体管材料 Si
1850 现货库存,2020-04-02 发货。网上下单,免运费。
450 海外库存,在5工作日内到达本地仓库并发货
单价(不含税) 毎管:50 个
RMB 7.675
(不含税)
RMB 8.673
(含税)
单位
Per unit
Per Tube*
50 - 50
RMB7.675
RMB383.75
100 - 150
RMB7.469
RMB373.45
200 - 450
RMB7.282
RMB364.10
500 - 950
RMB7.112
RMB355.60
1000 +
RMB6.986
RMB349.30
* 参考价格