DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 2.9 A, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

  • RS 库存编号 921-1120
  • 制造商零件编号 DMN6140L-7
  • 制造商 DiodesZetex
产品技术参数资料
法例与合规
符合
产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。

MOSFET 晶体管,Diodes Inc.

产品技术参数
属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 2.9 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 SOT-23
安装类型 贴片
引脚数目 3
最大漏源电阻值 170 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 1.3 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
晶体管材料 Si
宽度 1.4mm
长度 3mm
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 1
700 现货库存,可于5工作日发货。
单价(不含税) /个 (每包:50个)
RMB 1.689
(不含税)
RMB 1.909
(含税)
单位
Per unit
Per Pack*
50 - 700
RMB1.689
RMB84.45
750 - 1450
RMB1.654
RMB82.70
1500 +
RMB1.605
RMB80.25
* 参考价格
包装方式: