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- RS 库存编号:
- 175-4272
- 制造商零件编号:
- DG4599EDL-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 封装类型 | SC-70 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 最高工作温度 | +85 °C | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
引脚数目 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
封装类型 SC-70 | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
最高工作温度 +85 °C | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
DG4599E 是高性能单刀双掷 (SPDT) 模拟开关，设计用于 1.8 V 到 5.5 V 单电源导轨操作。采用高密度 CMOS 技术制成，该设备可在 5 V 电源下实现 6 Ω 低电阻和 7 pF 关闭电容，及低功耗和快速的切换速度。DG4599E 具有先断后合切换性能。它可处理模拟和数字信号，且允许以任一方向传输振幅高达 V+ 的信号。
低开关接通电阻
+1.8 V 至 +5.5 V 单电源操作
在电源关闭模式下隔离
低电压逻辑控制
控制逻辑输入可超过 V+
低寄生电容
先断后合切换
闩锁效应性能超过 200 mA
高 ESD 等级
应用
电池供电器件
消费产品和计算
仪器仪表
医疗器件
控制和自动化
+1.8 V 至 +5.5 V 单电源操作
在电源关闭模式下隔离
低电压逻辑控制
控制逻辑输入可超过 V+
低寄生电容
先断后合切换
闩锁效应性能超过 200 mA
高 ESD 等级
应用
电池供电器件
消费产品和计算
仪器仪表
医疗器件
控制和自动化