高密度微细胞
J 系列传感器采用 ON Semiconductor 独特的 " 快速输出 Terminal
温度稳定性为 21.5 mV/°C
异常击穿电压均匀性 ±250 mV
提供回流焊接兼容 TSV 芯片级封装
超低暗计数率、通常为 50 kHz/50V
优化用于高性能计时应用、例如 TOF - PET
3 mm 、 4 mm 和 6 mm 传感器尺寸
偏压电<压为 30 V
在 420 nm 时产生 50% 光子检测效率( PDE )
改善了信号上升时间和微单元恢复时间
无需主动电压控制
行业领先的一致性
TSV 封装可产生几乎零死空间、允许创建高填充因子阵列、并且不含铁金属
应用
医疗成像
危险和威胁
3D 范围和传感
生物技术与科学
高能物理
属性 | 数值 |
---|---|
封装类型 | 表面安装 |
安装类型 | 贴片 |
放大器功能 | 否 |
针数目 | 4 |
二极管材料 | Si |
检测到的最小波长 | 200nm |
检测到的最大波长 | 900nm |
长度 | 3.16mm |
宽度 | 3.16mm |
高度 | 0.46mm |