Renesas Electronics Evaluation Board, 半桥式驱动器 开发套件

Renesas 评估板设计用于提供快速全面的方法，来评估 MOSFET 的 HIP2210 100 V，3 A 拉电流，4 A 灌电流的高频半桥驱动器，用于驱动半桥配置中两个 N 沟道 MOSFET 的栅极。评估板上有两个 N 通道 MOSFET（通过双重空间支持多个封装，如 TO220 和 DPAK）和电感器-电容器 LC 滤波器，可评估半桥驱动负载，如同步降压开关稳压器。

用于高侧 NFET 上栅极驱动器的内部电平转换器和自举二极管
高达 100 V 的高侧自举二极管参考
6 V 至 18 V 偏置电源操作
快速 15 ns 典型传播延迟和 2 ns 典型传播延迟匹配，支持高达 1 MHz 操作