Infineon IGBT, MOSFET驱动器评估测试板, 评估板, Gate Driver IC芯片

评估板,用于 1ED3142MU12F - 2300 V、6.5 A、3 kV (rms) 单通道隔离门驱动器

EVAL-1ED3142MU12F-SIC 采用半桥配置,带两个门驱动器 IC (1ED3142MU12F),用于驱动 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 等电源开关。

此板预装有两个 CoolSiCTM MOSFET IMZA120R020M1H,一个额外的门驱动器 IC 用于隔离从高电压侧到逻辑控制侧的过电流反馈信号,快速操作放大器用作比较器,用于过电流检测。它最适用于双脉冲测试。

1ED3142MU12F 属于 EiceDRIVERTM Compact 1ED31xx 系列(X3 紧凑型系列)。 1ED3142MU12F 提供单独的熔丝和源输出、精确和稳定的计时、主动关闭,以确保在输出芯片未连接到电源的情况下,安全的电源晶体管关闭状态,短路夹持,以限制短路期间的门电压。驱动器可在宽电源电压范围内工作,单极或双极。

评估板,用于 1ED3142MU12F - 2300 V、6.5 A、3 kV (rms) 单通道隔离门驱动器

• EiceDRIVERTM 紧凑型单通道隔离门驱动器 1ED31xx 系列(X3 紧凑型系列)

• 适合与 650 V/1200 V/1700 V/2300 V/ IGBTs、Si 和 SiC MOSFET 一起使用

• 2300 V 功能偏移电压,适用于选定的应用

• 电磁绝缘无芯变压器门驱动器

• 6.5 A 典型沉降和源峰值输出电流

• 35 V 绝对最大输出电源电压

• 45 ns 传播延迟,带 20 ns 输入滤波器

• 高常规模暂时免疫 CMTI >300千伏/微秒

• 单独的源和槽输出

• 短路夹紧和有源关闭

• DSO-8 150 mil 窄主体封装

优势

• 集成过滤器可减少对外部过滤器的需求

• 紧密的 IC-to-IC 传播延迟匹配(最大 7 ns),容差可提高应用的坚固性,而不会因衰老、电流和温度而发生变化

• 适用于高环境温度和快速切换应用中的操作

• UL 1577 VISO = 3.6 kV (rms) 1 秒,3.0 kV (rms) 1 分钟

• 紧凑的传播延迟允许最小的停机时间提高系统效率并减少谐波扭曲

• 精确的门槛和计时,结合 UL 1577 认证,可实现卓越的应用安全性

应用

• EV 充电

• 电动机控制和驱动器

• 光伏

• 服务器电源

• 不间断电源 (UPS)

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。