Infineon 高增益低噪声放大器,用于 LTE 高频带,使用低噪声放大器可显著提高 LTE 数据传输速率。集成 Bypass 功能
增加了整个系统动态范围,并导致射频前端更加灵活。在高增益模式下,LNA 提供最佳噪声图,即使在 LTE 电池边缘上也可确保高数据速率。更接近基站,可激活旁路模式,从而减少电流消耗。
低电流消耗 8.5 mA
多状态控制: Bypass 和高增益模式
超小型 TSNP-6-10 无引线封装
射频输出内部匹配到 50 Ω
低外部组件数
属性 | 数值 |
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放大器类型 | 低噪声 |
典型功率增益 | 18.1 dB |
典型输出功率 | 60mW |
典型噪声系数 | 1.2dB |
最大工作频率 | 2690 MHz |
封装类型 | TSNP-6-10 |
引脚数目 | 6 |