onsemi NCP51152 EVB 评估测试板, 评估测试板, NCP-NCV51152D2PAK7LGEVB芯片, 用于NCP51152
- RS 库存编号:
- 277-065
- 制造商零件编号:
- NCP-NCV51152D2PAK7LGEVB
- 制造商:
- onsemi
小计（1 件）*
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB1,701.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 277-065
- 制造商零件编号:
- NCP-NCV51152D2PAK7LGEVB
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 传感器技术 | 评估测试板 | |
| 功能完备的设备 | NCP-NCV51152D2PAK7LGEVB | |
| 适用于 | NCP51152 | |
| 套件分类 | 评估测试板 | |
| 套件名称 | NCP51152 EVB | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
传感器技术 评估测试板 | ||
功能完备的设备 NCP-NCV51152D2PAK7LGEVB | ||
适用于 NCP51152 | ||
套件分类 评估测试板 | ||
套件名称 NCP51152 EVB | ||
安森美半导体隔离式单通道栅极驱动器具有 4.5A / 9A 源和灌电流峰值，设计用于快速开关以驱动功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率开关。它采用 4 mm SOIC-8 封装，支持高达 3.75 kVRMS 的隔离电压。此外，它还提供关键的保护功能，包括两侧驱动器的独立欠压锁定，确保可靠运行并增强电源管理系统的保护功能。
3 V 至 20 V 输入电源电压
最小 CMTI 为 200 V/ns dV/dt
典型传播延迟 36 毫微秒，最大延迟匹配 5 毫微秒
宽偏置电压范围，包括负 VEE 和 VCC
最小 CMTI 为 200 V/ns dV/dt
典型传播延迟 36 毫微秒，最大延迟匹配 5 毫微秒
宽偏置电压范围，包括负 VEE 和 VCC