Renesas Electronics SRAM, 16kB, 2K x 8, 最长25ns

Renesas Electronics CMOS SRAM 组织为 2K x 8。 SRAM 提供降低功率的待机模式。低功率 (LA) 型号还提供电池备用数据保留功能,电路通常仅消耗 1μW 至 4μW,通过 2V 电池操作。所有输入和输出均与 TTL 兼容。使用完全静态异步电路,操作无需时钟或刷新。提供军用级产品。

低功耗
电池备用操作 2V 数据保留电压
采用先进的 CMOS 高性能技术制造
CMOS 过程几乎消除了 alpha 微粒软错误率
输入和输出直接兼容 TTL
无需时钟或刷新