Infineon SRAM, 8Mbit, 512K x 16, 最长20 ns, 25 ns, 45 ns

Infineon SRAM 是快速静态 RAM,每个存储电池中具有一个非挥发元件。存储器组织为 1024 K 字节,每个 8 位,或 512 K 字节,每个 16 位。嵌入式非挥发性元件包含量子陷阱技术,可产生世界上最可靠的非挥发性存储器。SRAM 提供无限的读取和写入循环,而独立的非挥发性数据位于高度可靠的量子陷阱电池中。从 SRAM 传输到非挥发元件的数据在关闭电源时自动发生。当电源接通时,数据将从非挥发性存储器恢复到 SRAM。STORE 和 RECALL 操作也在软件控制下提供。

无铅
符合 RoHS 标准
20 年数据保留
无限的读取写入和回忆循环
100 万次存储循环至 QuantumTrap
通过软件或电源启动回忆到 SRAM