该设备是高电压转换器,将 800 V 雪崩强化电源 MOSFET 与 PWM 电流模式控制智能地集成。功率 MOSFET 具有 800 V 击穿电压,可施加扩展的输入电压范围,且减小 DRAIN 减震器电路的尺寸。此 IC 具有非常低的功耗,符合最严格的节能标准,还可以在轻负载条件下在脉冲频率调制中工作。
800 V 雪崩强化功率 MOSFET 可以覆盖超宽交流电压输入范围
嵌入式 HV 启动和感应 FET
电流模式 PWM 控制器
漏极电流限制保护
最大程度减少系统输入功耗:
抖动切换频率可减少 EMI 滤波器成本:
嵌入式 E/A,带 1.2 V 参考
客制化产品,不可取消或退货,遵循RS销售条款。
属性 | 数值 |
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转换器类型 | 电压 |
电源类型 | 单 |
典型单电源电压 | 4.5 → 30 V |
安装类型 | 表面贴装 |
封装类型 | SSOP |
引脚数目 | 10 |
尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
高度 | 1.5mm |
长度 | 5mm |
最高工作温度 | +150 °C |