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双极型晶体管

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显示 201 - 220 个产品，共 3700 个
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描述 价格 晶体管类型 最大直流集电极电流 最大集电极-发射极电压 封装类型 安装类型 最大功率耗散 最小直流电流增益 晶体管配置 最大集电极-基极电压 最大发射极-基极电压 最大工作频率 引脚数目 每片芯片元件数目 接口
onsemi NPN晶体管, SOT-223 (SC-73)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压80 V
RS 库存编号 903-4396
制造商零件编号PZTA06
品牌onsemi
RMB2.697
/个 (每包:50个)
单位
 NPN 500 mA 80 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1 W 100 单 80 V 4 V 100 MHz 3 + Tab 1 -
STMicroelectronics PNP晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-10 A, 最大集电极-发射电压-80 V
RS 库存编号 485-9143
制造商零件编号D45H11
品牌STMicroelectronics
RMB7.856
/个 (每包:5个)
单位
 PNP -10 A -80 V TO-220 通孔 50 W 40 单 80 V 5 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-225封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流1.5 A, 最大集电极-发射电压80 V
RS 库存编号 163-2362
制造商零件编号BD139G
品牌onsemi
RMB2.182
个 (以毎盒：500)
单位
 NPN 1.5 A 80 V TO-225 通孔 1.25 W 40 单 80 V 5 V - 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOIC封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压40 V
RS 库存编号 807-4850
制造商零件编号MMPQ2222A
品牌onsemi
RMB13.68
/个 (每包:5个)
单位
 NPN 500 mA 40 V SOIC 贴片 1 W 100 隔离式 75 V 5 V 300 MHz 16 4 -
onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流200 mA, 最大集电极-发射电压40 V
RS 库存编号 807-1007
制造商零件编号FMB3904
品牌onsemi
RMB2.409
/个 (每包:50个)
单位
 NPN 200 mA 40 V SOT-23 贴片 700 mW 100 隔离式 60 V 6 V 250 MHz 6 2 -
onsemi PNP晶体管, DPAK (TO-252)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-8 A, 最大集电极-发射电压-80 V
RS 库存编号 102-1371
制造商零件编号MJD45H11T4G
品牌onsemi
RMB2.152
个 (在毎卷：2500)
单位
 PNP -8 A -80 V DPAK (TO-252) 贴片 1.75 W 60 单 - 5 V 90 MHz 3 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-264封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-16 A, 最大集电极-发射电压-250 V
RS 库存编号 802-4546
制造商零件编号MJL21195G
品牌onsemi
RMB35.295
/个 (每包:2个)
单位
 PNP -16 A -250 V TO-264 通孔 200 W - 单 400 V 直流 5 V 1 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-225封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压300 V
RS 库存编号 464-205
制造商零件编号MJE340G
品牌onsemi
RMB2.455
/个 (每包:20个)
单位
 NPN 500 mA 300 V TO-225 通孔 20000 mW 30 单 - 3 V - 3 1 -
onsemi PNP晶体管, DPAK (TO-252)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-8 A, 最大集电极-发射电压-80 V
RS 库存编号 463-622
制造商零件编号MJD45H11T4G
品牌onsemi
RMB4.091
/个 (每包:20个)
单位
 PNP -8 A -80 V DPAK (TO-252) 贴片 1.75 W 60 单 - 5 V 90 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOT-223 (SC-73)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压80 V
RS 库存编号 166-2036
制造商零件编号PZTA06
品牌onsemi
RMB1.26
个 (在毎卷：4000)
单位
 NPN 500 mA 80 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1 W 100 单 80 V 4 V 100 MHz 3 + Tab 1 -
DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流5 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 669-7433
制造商零件编号ZTX851
品牌DiodesZetex
RMB6.686
/个 (每包:5个)
单位
 NPN 5 A 60 V TO-92 通孔 1.2 W 100 单 150 V 6 V 130 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流200 mA, 最大集电极-发射电压40 V
RS 库存编号 166-2272
制造商零件编号FMB3904
品牌onsemi
RMB0.914
个 (在毎卷：3000)
单位
 NPN 200 mA 40 V SOT-23 贴片 700 mW 100 隔离式 60 V 6 V 250 MHz 6 2 -
Nexperia NPN晶体管, SOT-363 (SC-88)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压65 V
RS 库存编号 146-0364
制造商零件编号BC846S,115
品牌Nexperia
RMB0.273
个 (在毎卷：3000)
单位
 NPN 100 mA 65 V SOT-363 (SC-88) 贴片 20 mW 110 隔离式 80 V 65 V - 6 2 -
DiodesZetex NPN晶体管, TO-92封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流5 A, 最大集电极-发射电压60 V
RS 库存编号 922-7863
制造商零件编号ZTX851
品牌DiodesZetex
RMB3.737
个 (以毎袋：4000)
单位
 NPN 5 A 60 V TO-92 通孔 1.2 W 100 单 150 V 6 V 130 MHz 3 1 -
STMicroelectronics PNP晶体管, TO-220封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-10 A, 最大集电极-发射电压-80 V
RS 库存编号 168-6139
制造商零件编号D45H11
品牌STMicroelectronics
RMB6.962
毎管：50 个
单位
 PNP -10 A -80 V TO-220 通孔 50 W 40 单 80 V 5 V - 3 1 -
DiodesZetex NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流600 mA, 最大集电极-发射电压160 V
RS 库存编号 751-4515
制造商零件编号MMBT5551-7-F
品牌DiodesZetex
RMB0.234
/个 (每包:100个)
单位
 NPN 600 mA 160 V SOT-23 贴片 300 mW 80 单 180 V 6 V 300 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, TO-204封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流16 A, 最大集电极-发射电压200 V
RS 库存编号 544-9696
制造商零件编号MJ15022G
品牌onsemi
RMB41.10
个
单位
 NPN 16 A 200 V TO-204 通孔 250 W - 单 350 V 5 V 4 MHz 3 1 -
onsemi NPN晶体管, SOT-223 (SC-73)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流1 A, 最大集电极-发射电压80 V
RS 库存编号 170-3462
制造商零件编号BCP56T3G
品牌onsemi
RMB0.88
个 (在毎卷：4000)
单位
 NPN 1 A 80 V SOT-223 (SC-73) 贴片 1.5 W 40 单 100 V 5 V 35 MHz 3 + Tab 1 -
onsemi PNP晶体管, TO-220AB封装, 通孔安装, 最大直流集电极电流-8 A, 最大集电极-发射电压-150 V
RS 库存编号 103-2936
制造商零件编号MJE15031G
品牌onsemi
RMB8.123
毎管：50 个
单位
 PNP -8 A -150 V TO-220AB 通孔 50 W - 单 150 V 5 V 30 MHz 3 1 -
DiodesZetex NPN晶体管, SOT-23封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流500 mA, 最大集电极-发射电压100 V
RS 库存编号 669-7732
制造商零件编号FMMT415TD
品牌DiodesZetex
RMB55.55
个
单位
 NPN 500 mA 100 V SOT-23 贴片 330 mW - 单 320 V 6 V 40 MHz 3 1 -

双极型晶体管

双极型晶体管是什么？

双极型晶体管，也叫双极性晶体管、晶体三极管，是一种具有三个终端的电子器件，由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。

双极型晶体管的应用

双极型晶体管能够放大信号，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中。

双极型晶体管的分类

  • NPN型晶体管：由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压，则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
  • PNP型晶体管：由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。

RS为您提供了不同品牌的双极型晶体管，如onsemi、Nexperia、DiodesZetex、ROHM、Infineon等多款不同规格、型号的产品供您挑选，从而满足不同的应用场景需求。

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