DiodesZetex 是中电压/高速门驱动器,可在半桥配置下驱动 N 通道 MOSFET。 高电压处理技术使 DGD2005 的高侧可在调试操作中切换到 200V。高侧和低侧驱动器之间匹配的 30ns(最大)传播延迟允许高频切换。DGD2005 采用节省空间的 SO-8 封装,工作温度范围扩展至 -40°C 至 +125°C。
宽低侧门驱动器电源电压 10V 至 20V 浮动高侧驱动器,在 200V 启动带操作中,驱动 2 个 N 通道 MOSFET,采用半桥配置,用于高侧和低侧驱动器的低电压锁定,扩展温度范围 -40°C 至 +125°C
属性 | 数值 |
---|---|
逻辑类型 | CMOS,TTL |
输出电流 | 290 mA,690 mA |
电源电压 | 10 → 20V |
引脚数目 | 8 |
封装类型 | SOIC |
下降时间 | 30ns |
驱动器数目 | 2 |