STB130N6F7 | STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET F7系列, Vds=60 V, 60 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚 | RS

STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET F7系列, Vds=60 V, 60 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

RS 库存编号:: 906-4662
制造商零件编号:: STB130N6F7
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET F7系列, Vds=60 V, 60 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:: 906-4662
制造商零件编号:: STB130N6F7
制造商:: STMicroelectronics

STB130N6F7, N-Channel 60V, 80A STripFET F7 Power MOSFET in D2PAK Package
ESD Control Selection Guide V1

属性	数值
通道类型	N
最大连续漏极电流	60 A
最大漏源电压	60 V
封装类型	D2PAK (TO-263)
安装类型	贴片
引脚数目	3
最大漏源电阻值	5 mΩ
通道模式	增强
最大功率耗散	160 W
晶体管配置	单
最大栅源电压	-20 V、+20 V
长度	10.4mm
典型栅极电荷@Vgs	42 nC @ 10 V
宽度	9.35mm
晶体管材料	Si
最高工作温度	+175 °C
每片芯片元件数目	1
最低工作温度	-55 °C
高度	4.6mm
系列	STripFET F7
正向二极管电压	1.2V

STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET F7系列, Vds=60 V, 60 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronics